东芝电子欧洲有限公司近日正式推出两款全新的80V N沟道MOSFET——XPH2R608QB和XPH3R908QB。这两款产品均符合AEC-Q101车规级认证标准，标志着东芝在48V车载系统领域的产品线进一步扩充。作为东芝最新U-MOSX-H工艺的首批应用产品，它们采用了带有可润湿侧边的SOP Advance（WF）封装，这一创新设计不仅提升了电气性能，更优化了制造过程中的质量控制环节。
低导通电阻与高效能封装协同增效
依托U-MOSX-H工艺，这两款MOSFET实现了极低的导通电阻（RDS(ON)），为工程师在48V系统中实现更高能效、延长电池寿命及提升整体性能提供了有力支持。具体而言，XPH2R608QB的最大导通电阻仅为2.55mΩ，典型栅极电荷（Qg）为95nC；而XPH3R908QB的最大导通电阻为3.9mΩ，典型栅极电荷低至63nC。上述参数均在10V栅源电压下测试得出，展现了优异的控制特性。
在封装技术方面，SOP WF封装并非仅仅为了外观创新。其独特的铜连接结构有效降低了封装电阻，从而提升了系统效率并更好地控制热量，有助于延长整个系统的使用寿命。此外，可润湿侧边设计使得使用自动光学检测（AOI）设备进行焊点检查变得更加便捷，工程师能够快速确认安装状态，进而显著提升产品的可靠性。
应用场景广泛且持续扩展中
这两款MOSFET主要适用于N沟道无刷直流（BLDC）电机驱动和非隔离式DC-DC降压转换电路。同时，它们也可广泛应用于28V车载系统、电机驱动、开关电源及负载开关等场景。目前，东芝的80V U-MOSX-H车规产品线已包含采用L-TOGL封装以实现更佳散热性能的XPQR8308QB型号。
随着汽车电子架构向48V系统演进，市场需求日益多样化。东芝计划继续扩充其48V系统产品阵容，以满足客户的新需求并适配各类汽车应用场景。这一举措不仅巩固了其在功率半导体领域的竞争力，也为全球汽车制造商提供了更多高性能、高可靠性的选择。